一、初始化
SDRAMs must be powered up and initialized in a predefined manner. The 256Mb SDRAM is initialized after the power is applied to Vdd and Vddq (simultaneously) and the clock is stable with CKE High.A 100µs delay is required prior to issuing any command other than a COMMAND INHIBIT or a NOP.The COMMAND INHIBIT or NOP may be applied during the 200us period and should continue at least through the end of the period. With at least one COMMAND INHIBIT or NOP command having been applied, a PRECHARGE command should be applied once the 100µs delay has been satisfied. All banks must be precharged. This will leave all banks in an idle state after which at least two AUTO REFRESH cycles must be performed. After the AUTO REFRESH cycles are complete, the SDRAM is then ready for mode register programming.SDRAM必须以预定义的方式启动和初始化。256MB的SDRAM在Vdd和Vddq（同时）通电后初始化，时钟稳定，CKE高。在发出除命令禁止或警告以外的任何命令之前，需要100µs的延迟，INHIBIT或NOP命令可在200us期间应用，并应至少持续到该期间结束。在至少应用了一个禁止或NOP命令的情况下，应在满足100µs延迟后应用预充电命令。所有bank都必须预先充电。这将使所有bank处于空闲状态，之后必须至少执行两个自动刷新周期。自动刷新周期完成后，SDRAM就可以进行模式寄存器编程了。Notes:
1. If CS is High at clock High time, all commands applied are NOP.
2. The Mode register may be loaded prior to the Auto-Refresh cycles if desired.
3. JEDEC and PC100 specify three clocks.
4. Outputs are guaranteed High-Z after the command is issued.
根据时序图：
（1）上电后先延时100us，此过程中命令为 INIHIBIT 或 NOP。
（2）100us时间结束后，给出一个命令：PRECHARGRE，对所有 Bank 进行预充电。然后等待时间 tRP，这期间命令为 INIHIBIT 或 NOP。
（3）tRP时间结束后，给出一个命令：AUTO REFRESH，然后等待时间 tRP，这期间命令为 INIHIBIT 或 NOP。至少要两个AUTO REFRESH，所以这里还要在执行一次。
（4）tRC时间结束后，给出一个命令：Load MODE REGISTER，然后等待时间 tMRD，之后 SDRAM 初始化完成。
二、模式寄存器设置
1.模式寄存器设置（MRS）：Mode Register Set
（1）突发长度：如果突发长度是4，那突发写时，只需给出4个写数据和需要写入地址的首地址，那么剩下的数据会排队写进去，一次共写入4个数据；突发读时，只需要给出1个读数据的地址，那么剩下的数据会排队读出来，一次共读出4个数据。SDRAM 提供 1、2、4、8 和全页（一行）共 5 种突发长度，但注意全页突发必须与 BURST TERMINATE 命令一起使用，以生成任意突发长度。
（2）突发传输方式：顺序型或交错型，通常选用顺序型，即 A3 = 0。（3）CAS潜伏期：列选通潜伏期，即给出读命令和SDRAM 的读取 DQ 之间的延迟关系，可以选择2、3、4。CAS=3的时序如下：（4）操作模式：若读和写都为突发，则 A9 = 0；若读为突发，写为单一，则A9=1。
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