工艺和版图设计—低触发电压SCR放电管

摘要：依据触发电压VS、触发电流IS、维持电流IH及触发电压、维持电流高低温变化率指标要求，利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件完成了双向低触发电压横向SCR放电管的设计。详细分析了对触发特性产生显著影响的结构参数（N-衬底区、寄生PNP晶体管P集电区、寄生NPN晶体管P-基区、N+阴极区、N+触发区、寄生PNP晶体管P-集电区与寄生NPN晶体管P-基区间距、寄生NPN晶体管表面基区宽度）对器件输出IV特性及抗瞬态电流烧毁能力的影响。

    在25℃条件下，电参数要求为：(1)触发电压VS=6~10V；(2)触发电流IS<500μA；(3)维持电流IH<5mA。高低温变化率要求：(1)触发电压VS低温变化率低于1％；（2）触发电压VS高温变化率低于1％；（3）维持电流IH低温变化率低于200％；（4）维持电流IH高温变化率低于50％。依据常温电参数要求，通过仿真设计确定器件的结构参数。