武汉理工大学麦立强教授EES:设计高性能层状氧化物钾电正极——调制 K⁺/空位无序有奇效!
发布于 2021-04-04 18:04
一、研究背景
二、本文亮点
三、图文解析
▲ | 图 1.(a)K0.4Mn0.7Ni0.3O2 和(b)K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的 XRD 精修结果,内嵌图为其相应的晶体结构;(c))K0.4Mn0.7Ni0.3O2和(d)K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的 SAED 图;(e-h)K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的 STEM 图;(i-n)K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的 EDS 能谱图。 |
要点:
1. 发现 K+/空位有序结构在低 K+ 含量下(x < 0.6)是稳定的,而 K+/空位无序结构在高 K+ 含量下(x > 0.6)形成。
2. K0.4Mn0.7Ni0.3O2 的 SAED 图中清楚的观察到有序结构特有的超晶格点(例如 1/3(110)),而在 K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的 SAED 图中不存在这种超晶格点,证明了 K0.7Mn0.7Ni0.3O2 为 K+/空位有序结构,K0.7Mn0.7Ni0.3O2 为 K+/空位无序结构(图 1c,d)
▲ | 图 2.(a)K0.4Mn0.7Ni0.3O2 和(b)K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的 CV 曲线;K0.74Mn0.7Ni0.3O2 和 K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的循环(c)和倍率(d)性能对比;(e)K0.4Mn0.7Ni0.3O2 和(f)K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的充放电曲线;(g)K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的长循环性能。 |
要点:
在 K0.4Mn0.7Ni0.3O2 的 CV 曲线中观察到多对氧化还原峰,这归因于 K+/空位有序结构在 K+ 脱嵌/嵌入过程中的重排,进一步证明了 K0.4Mn0.7Ni0.3O2 为 K+/空位有序结构。
▲ | 图 3.(a-c)K0.4Mn0.7Ni0.3O2 和(d-f)K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的原位 XRD 图。 |
要点:
1. K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的晶体结构演变规律类似于其他 P 型层状氧化物材料,在高电压下会发生 P3 相和 O3 相之间的相互转换。
2. K0.4Mn0.7Ni0.3O2 的结构演变的独特性在于:当从 2.5 V 放电至 2.0 V 然后充电至 2.7 V 时,K0.4Mn0.7Ni0.3O2 的三强峰的位移行为更为复杂。这些现象都是由 K0.4Mn0.7Ni0.3O2 材料 K 层中 K+/空位有序结构在 K+脱出/嵌入过程中的重排引起的,并且与其电化学曲线中的电压平台相对应。
▲ | 图 4.(a,b)K0.4Mn0.7Ni0.3O2 和(c,d)K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的分子动力学模拟计算和K+/空位结构示意图 |
要点:
1. 与 K0.4Mn0.7Ni0.3O2 相比,K0.7Mn0.7Ni0.3O2 的 K+ 迁移轨迹更加交联,这表明 K+/空位无序结构为 K+ 的传输提供了相互连接的连续通道,并减小了 K+ 位点之间的能垒,这使 K0.7Mn0.7Ni0.3O2 具有快速的 K+ 输运动力学和更多的 K+ 储存位点。
2. K0.4Mn0.7Ni0.3O2 中 K+ 和空位的分布表现出明显的周期性,形成了 K+/空位有序结构(图4b)。相反,K0.7Mn0.7Ni0.3O2 中 K+ 与空位的位置和排列是随机的,形成表明 K+/空位无序结构(图 4d)。
▲ | 图 5.K0.7Mn0.7Ni0.3O2 与软碳匹配的全电池电化学性能 |
要点:
K0.7Mn0.7Ni0.3O2与软碳匹配了钾离子全电池,在 0.1A g-1 的电流密度下,经过 100 次循环后,全电池保持 82.2 mAh g-1 的可逆比容量,容量保持率可达 86.4 %(图 5b)。在 0.5A g-1 的电流密度下仍具有 65.3 mAh g-1 的高容量(图 5c)。甚至在 0.3 A g-1 下循环 300 圈后,全电池仍表现出 52.7 mAh g-1 的可逆容量,容量保持率为 62.5%(图 5e)。
四、文章总结
本文通过简单地调节 KxMn0.7Ni0.3O2 层状氧化物中的 K+ 含量,实现了从有序到无序的结构变化。当 K+ 含量从 0.4 增加到 0.7 时,KxMn0.7Ni0.3O2 的构型从 K+/空位有序结构演化为 K+/空位无序结构。结构变化的本质是高 K+ 含量影响层间 K-K 静电斥力,降低了 K+ 的位点能,从而破坏了 K+/空位有序结构。因此,K+/空位无序的 P3 型 K0.7Mn0.7Ni0.3O2 作为 PIB 阴极表现出优异的循环和倍率性能,增强的电化学性能归因于快速的 K+ 输运动力学和 K+/空位无序结构提供的更可逆的 K+ 存储位点。我们的发现为设计新型 K+/空位层状氧化物阴极材料提供了一条简单有效的途径。
原文链接
http://doi.org/10.1039/D0EE01607A
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