解读一下JDI的eLEAP技术

“本文根据JDI的官方文件来看看eLEAP可能采用的技术，中间有不少猜测的成分，并且个人的经验难免受到限制，仅供参考。等后续业界有更多的消息再来看看这个技术的细节。”

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5月13日，JDI宣布开发出被称为“eLEAP”的OLED技术，宣称是世界上首次采用“maskless depositon”和“lithography”并可供量产的OLED技术。

业内新闻将“maskless depositon”翻译为“无掩模板蒸镀”,将“lithography” 翻译为“光刻技术”。但我看了一下JDI官网英文版文件的原文，发现JDI在公布这个消息的时候还是相当审慎，并没有透露这个技术采用的是“蒸镀”技术。而“lithography”除了有“光刻”的含义之外，更普遍的意思应该是“平版印刷术”，而且在OLED彩色化中，也有“soft lithography” 和 “imprint lithography” 等技术，在这里JDI也没有明确说明是光刻技术。

因此，尽管业内新闻的说法在现实上可能是对的，但从保守的角度出发，我还是直接采用英文，后面再来分析一下可能是什么技术路线。

首先，从这项技术的名称上，并不能得到具体的技术路线。

如下所示，eLEAP是一个英文首字母缩写词。其中，e表示对环境更友好，L即为前面说到的“Lithography with maskless depositon”，E为超长的寿命，低功耗和高亮度，A为可以做成任何形状的图形。eLEAP主要说明的该技术的优势或特点。

要实现OLED器件的直接色彩化，目前的技术列于下表。其中大家最熟悉的是量产所采用的FMM技术，以及被寄予厚望的喷墨打印技术。JDI采用的是什么技术呢？

我们继续看JDI的官方文件，如下图所示，采用该项技术的产品，其目标市场覆盖了从小尺寸高PPI的VR到大尺寸的TV市场，因此需要有能将像素做到几微米这个级别。这样的话，采用蒸汽喷射、喷墨打印和LITI技术的可能性就不太大了。

同时，需要兼容大尺寸的玻璃基板，并且是一个面向量产的技术，因此LIFT、软转印或纳米压印等技术可能性也不太高。

看起来JDI最可能的技术路线确实是光刻技术，这一点很符合量产要求，因为光刻本身在设备上可能没有太多的本质技术难题，很容易做到高的PPI，也能做到大尺寸。

主要的技术难题还在于材料和工艺。由于OLED对水汽太过于敏感，光刻的条件还是比较苛刻，但相对来说如果有突破，量产的可能性更大一些。

采用光刻的方式，查阅文献发现IMEC有过一些报道，他们也研究了采用光刻制程对OLED器件性能的影响，这里不展开说明。

JDI宣传采用这种技术的OLED具有更长的Lifetime和峰值亮度，这样的性能是如何来的呢？

如果确实是采用光刻技术的话，我猜想可能仅仅因为是开口率的提高，导致发光的效率更高的结果，而不太可能是材料本身有比较显著的性能提升。

因为FMM要避免混色，像素之间的pitch不能做得太小，而光刻技术对位置的精度控制能力强，可以将sub-pixel之间的pitch做小而不存在混色的问题。

而在相同的PPI条件下，开口率大的像素无疑会有更高的峰值亮度，而在同等亮度下有更长的寿命。

而且光刻的图形形状可以做得非常灵活，这会给设计带来更大的灵活性。

当然，上面这些性能的前提是光刻制程本身对OLED的性能影响较小，这主要是工艺和材料的问题。

后面还需要根据业界更多的信息，来证实JDI的技术路线，并根据这些信息来分析技术的细节。